ALD工作原理介紹
發(fā)布時間：
2024-10-01
概要
原子層沉積（Atomic Layer Deposition, ALD）是一種精密薄膜沉積技術(shù)，其工作原理基于原子層控制和循環(huán)沉積反應的特點。
ALD技術(shù)是一種逐層沉積工藝，通過交替地向基底表面引入兩種氣體前體，每次引入一層薄膜的原子層數(shù)量可以精確控制。ALD的工作原理基于氣相前體分子在表面的吸附和反應，形成一層原子精密的原子層覆蓋。首先，基底表面提供一定的活性位點，然后第一個前體氣體通過灌注進入，其中的反應產(chǎn)物與基底表面反應生成一層原子膜。隨后，多余的前體氣體被排出反應室。接著，第二個前體氣體灌入反應室，與第一層產(chǎn)生的薄膜反應，再次形成原子層，多余氣體排出。這一循環(huán)過程不斷重復，直到達到所需的薄膜厚度。
ALD的工作原理保證了薄膜沉積的原子層控制和均勻性，使得其在半導體、光電器件等領(lǐng)域得到廣泛應用。通過精心設計反應條件和前體氣體選擇，可以實現(xiàn)多種薄膜的沉積，如氧化鋅、二氧化硅等。ALD技術(shù)的發(fā)展為微納加工領(lǐng)域帶來了新的可能性，也是實現(xiàn)納米尺度器件制備的重要方法之一。
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ALD的工作原理保證了薄膜沉積的原子層控制和均勻性，使得其在半導體、光電器件等領(lǐng)域得到廣泛應用。通過精心設計反應條件和前體氣體選擇，可以實現(xiàn)多種薄膜的沉積，如氧化鋅、二氧化硅等。ALD技術(shù)的發(fā)展為微納加工領(lǐng)域帶來了新的可能性，也是實現(xiàn)納米尺度器件制備的重要方法之一。
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